Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC018N04LSGATMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 40V

Capsula: PG-TDSON-8

Montare: SMD

Putere disipata: 125W

Curent drena: 100A

Caracteristici

Carcasa	PG-TDSON-8
Curent drena	100A
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	1.8mΩ
Tensiune drena-sursa	40V
Tensiune poarta-sursa	±20V

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare