Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC018N04LSGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121837
-
12,16lei
- Fără TVA:10,05lei
-
- 10 sau mai multe 8,24lei
- 22 sau mai multe 4,55lei
- 50 sau mai multe 4,31lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC018N04LSGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 40V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 125W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 100A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.8mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 40V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |