Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC016N03MSGATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121834
-
4,80lei
- Fără TVA:4,03lei
-
- 5 sau mai multe 4,21lei
- 8 sau mai multe 4,21lei
- 25 sau mai multe 4,18lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC016N03MSGATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 30V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 125W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 100A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.6mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 30V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |