Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC010NE2LSATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121823
-
8,68lei
- Fără TVA:7,17lei
-
- 5 sau mai multe 7,45lei
- 6 sau mai multe 6,05lei
- 34 sau mai multe 5,72lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC010NE2LSATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 25V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 96W
Curent drena: 39A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 39A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 25V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |