Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC009NE2LSATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121819
-
14,84lei
- Fără TVA:12,47lei
-
- 5 sau mai multe 13,15lei
- 8 sau mai multe 11,61lei
- 19 sau mai multe 10,98lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC009NE2LSATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 25V
Capsula: PG-TDSON-8
Montare: SMD
Putere disipata: 96W
Curent drena: 100A
Caracteristici
| Carcasa | PG-TDSON-8 |
| Curent drena | 100A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.9mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 25V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |