Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN95R3K7P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122958
-
10,09lei
- Fără TVA:8,34lei
-
- 5 sau mai multe 7,68lei
- 10 sau mai multe 6,40lei
- 32 sau mai multe 3,06lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN95R3K7P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 950V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 6W
Curent drena: 1.4A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 1.4A |
| Incarcatura poarta | 6nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.7Ω |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 950V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |