Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R750P7ATMA1

Distribuie
  • 9,36lei

  • Fără TVA:7,87lei

  • 10 sau mai multe 7,72lei
  • 19 sau mai multe 4,87lei
  • 44 sau mai multe 4,61lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R750P7ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 800V

Capsula: PG-SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 7.2W

Curent drena: 4.6A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa PG-SOT223
Curent drena 4.6A
Incarcatura poarta 17nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.75Ω
Subtip ambalaj rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 800V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha