Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R750P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122954
-
9,36lei
- Fără TVA:7,87lei
-
- 10 sau mai multe 7,72lei
- 19 sau mai multe 4,87lei
- 44 sau mai multe 4,61lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R750P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 7.2W
Curent drena: 4.6A
Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
Carcasa | PG-SOT223 |
Curent drena | 4.6A |
Incarcatura poarta | 17nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.75Ω |
Subtip ambalaj | rolă |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 800V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |