Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R750P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122954
-
9,71lei
- Fără TVA:8,03lei
-
- 10 sau mai multe 8,02lei
- 19 sau mai multe 5,06lei
- 45 sau mai multe 4,79lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R750P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 7.2W
Curent drena: 4.6A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 4.6A |
| Incarcatura poarta | 17nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.75Ω |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
