Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R3K3P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122951
-
3,79lei
- Fără TVA:3,18lei
-
- 25 sau mai multe 3,10lei
- 41 sau mai multe 2,25lei
- 95 sau mai multe 2,13lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN80R3K3P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 800V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 6.1W
Curent drena: 1.3A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 1.3A |
| Incarcatura poarta | 6nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 3.3Ω |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 800V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |