Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN70R900P7SATMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 700V

Capsula: PG-SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 6.5W

Curent drena: 3.5A

Caracteristici

Caracteristici elemente semiconductoare	ESD protected gate
Carcasa	PG-SOT223
Curent drena	3.5A
Incarcatura poarta	6.8nC
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	0.9Ω
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	700V
Tensiune poarta-sursa	±16V

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare