Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN70R900P7SATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122946
-
1,08lei
- Fără TVA:0,89lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN70R900P7SATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 700V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 6.5W
Curent drena: 3.5A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 3.5A |
| Incarcatura poarta | 6.8nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.9Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 700V |
| Tensiune poarta-sursa | ±16V |