Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN70R360P7SATMA1

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN70R360P7SATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 700V

Capsula: PG-SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 7.2W

Curent drena: 7.5A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa PG-SOT223
Curent drena 7.5A
Incarcatura poarta 16.4nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.36Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 700V
Tensiune poarta-sursa ±16V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha