Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN70R360P7SATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122945
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN70R360P7SATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 700V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 7.2W
Curent drena: 7.5A
Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
Carcasa | PG-SOT223 |
Curent drena | 7.5A |
Incarcatura poarta | 16.4nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.36Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 700V |
Tensiune poarta-sursa | ±16V |