Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN70R1K0CEATMA1

Distribuie
  • 11,14lei

  • Fără TVA:9,36lei

  • 5 sau mai multe 5,19lei
  • 23 sau mai multe 4,04lei
  • 53 sau mai multe 3,83lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN70R1K0CEATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 700V

Capsula: PG-SOT223

Montare: SMD

Putere disipata: 5W

Curent drena: 4.7A

Caracteristici
Carcasa PG-SOT223
Curent drena 4.7A
Incarcatura poarta 15.2nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 700V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha