Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN65R1K5CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122942
-
5,76lei
- Fără TVA:4,84lei
-
- 5 sau mai multe 2,45lei
- 25 sau mai multe 2,17lei
- 50 sau mai multe 1,74lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN65R1K5CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 650V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 5W
Curent drena: 3.3A
Caracteristici
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 3.3A |
| Incarcatura poarta | 10.5nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.5Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 650V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |