Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN60R600P7SATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122941
-
4,54lei
- Fără TVA:3,75lei
-
- 10 sau mai multe 3,45lei
- 20 sau mai multe 3,02lei
- 50 sau mai multe 2,49lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2848 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN60R600P7SATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 7W
Curent drena: 4A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 4A |
| Incarcatura poarta | 9nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.6Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |