Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN60R2K1CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122938
-
2,74lei
- Fără TVA:2,31lei
-
- 25 sau mai multe 2,41lei
- 49 sau mai multe 1,86lei
- 114 sau mai multe 1,76lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN60R2K1CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 5W
Curent drena: 2.4A
Caracteristici
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 2.4A |
| Incarcatura poarta | 6.7nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.1Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |