Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN60R2K1CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122938
-
4,48lei
- Fără TVA:3,76lei
-
- 10 sau mai multe 3,28lei
- 50 sau mai multe 1,90lei
- 115 sau mai multe 1,80lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN60R2K1CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 5W
Curent drena: 2.4A
Caracteristici
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 2.4A |
| Incarcatura poarta | 6.7nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.1Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |