Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN60R1K5CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122937
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN60R1K5CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 650V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 5W
Curent drena: 3.2A
Caracteristici
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent de drena in impuls | 8.4A |
| Curent drena | 3.2A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.5Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 650V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |