Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R800CEATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122935
-
4,36lei
- Fără TVA:3,60lei
-
- 5 sau mai multe 3,50lei
- 25 sau mai multe 3,22lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2896 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-SOT223, INFINEON TECHNOLOGIES - IPN50R800CEATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 500V
Capsula: PG-SOT223
Montare: SMD
Putere disipata: 5W
Curent drena: 4.8A
Caracteristici
| Carcasa | PG-SOT223 |
| Curent drena | 4.8A |
| Incarcatura poarta | 12.4nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.8Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 500V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |