Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOG-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUS300N08S5N012ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122605
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOG-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUS300N08S5N012ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PG-HSOG-8
Montare: SMD
Putere disipata: 375W
Curent drena: 300A
Caracteristici
Carcasa | PG-HSOG-8 |
Curent de drena in impuls | 1.2kA |
Curent drena | 300A |
Incarcatura poarta | 73nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.2mΩ |
Subtip ambalaj | bandă, rolă |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 80V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |