Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOG-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUS300N08S5N012ATMA1

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOG-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUS300N08S5N012ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 80V

Capsula: PG-HSOG-8

Montare: SMD

Putere disipata: 375W

Curent drena: 300A

Caracteristici
Carcasa PG-HSOG-8
Curent de drena in impuls 1.2kA
Curent drena 300A
Incarcatura poarta 73nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.2mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 80V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha