Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOG-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUS165N08S5N029ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122604
-
24,33lei
- Fără TVA:20,10lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOG-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUS165N08S5N029ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PG-HSOG-8
Montare: SMD
Putere disipata: 167W
Curent drena: 165A
Caracteristici
Carcasa | PG-HSOG-8 |
Curent de drena in impuls | 660A |
Curent drena | 165A |
Incarcatura poarta | 31nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.9mΩ |
Subtip ambalaj | bandă, rolă |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 80V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |