Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT60R022S7XTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122971
-
62,04lei
- Fără TVA:51,27lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT60R022S7XTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-HSOF-8
Montare: SMD
Putere disipata: 390W
Curent drena: 23A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HSOF-8 |
| Curent de drena in impuls | 375A |
| Curent drena | 23A |
| Incarcatura poarta | 31nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 22mΩ |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |