Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT210N25NFDATMA1

Distribuie
  • 76,00lei

  • Fără TVA:62,81lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT210N25NFDATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 250V

Capsula: PG-HSOF-8

Montare: SMD

Putere disipata: 375W

Curent drena: 54A

Caracteristici
Carcasa PG-HSOF-8
Curent de drena in impuls 276A
Curent drena 54A
Incarcatura poarta 86nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 21mΩ
Subtip ambalaj bandă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 250V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha