Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT020N10N3ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122963
-
75,98lei
- Fără TVA:62,79lei
-
- 2 sau mai multe 53,31lei
- 5 sau mai multe 50,46lei
- 500 sau mai multe 48,83lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT020N10N3ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: PG-HSOF-8
Montare: SMD
Putere disipata: 375W
Curent drena: 212A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HSOF-8 |
| Curent de drena in impuls | 1200A |
| Curent drena | 212A |
| Incarcatura poarta | 156nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |