Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT012N08N5ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122961
-
46,97lei
- Fără TVA:38,82lei
-
- 4 sau mai multe 31,27lei
- 8 sau mai multe 29,60lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1965 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT012N08N5ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: PG-HSOF-8
Montare: SMD
Putere disipata: 375W
Curent drena: 279A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HSOF-8 |
| Curent de drena in impuls | 1200A |
| Curent drena | 279A |
| Incarcatura poarta | 178nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.2mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 80V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |