Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT007N06NATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122960
-
48,73lei
- Fără TVA:40,95lei
-
- 4 sau mai multe 29,77lei
- 8 sau mai multe 28,18lei
- 1000 sau mai multe 27,25lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IPT007N06NATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: PG-HSOF-8
Montare: SMD
Putere disipata: 375W
Curent drena: 300A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HSOF-8 |
| Curent de drena in impuls | 1200A |
| Curent drena | 300A |
| Incarcatura poarta | 216nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.7mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |