Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUT260N10S5N019ATMA1

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HSOF-8, INFINEON TECHNOLOGIES - IAUT260N10S5N019ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: PG-HSOF-8

Montare: SMD

Putere disipata: 300W

Curent drena: 260A

Caracteristici
Carcasa PG-HSOF-8
Curent drena 260A
Incarcatura poarta 54nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.9mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha