Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HDSOP-10-1, INFINEON TECHNOLOGIES - IPDD60R190G7XTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122890
-
17,23lei
- Fără TVA:14,48lei
-
- 9 sau mai multe 10,71lei
- 20 sau mai multe 10,13lei
- 500 sau mai multe 9,58lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HDSOP-10-1, INFINEON TECHNOLOGIES - IPDD60R190G7XTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-HDSOP-10-1
Montare: SMD
Putere disipata: 76W
Curent drena: 13A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HDSOP-10-1 |
| Curent de drena in impuls | 36A |
| Curent drena | 13A |
| Incarcatura poarta | 18nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.19Ω |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |