Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HDSOP-10-1, INFINEON TECHNOLOGIES - IPDD60R080G7XTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122886
-
46,89lei
- Fără TVA:38,76lei
-
- 4 sau mai multe 30,14lei
- 8 sau mai multe 28,53lei
- 1700 sau mai multe 27,31lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HDSOP-10-1, INFINEON TECHNOLOGIES - IPDD60R080G7XTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-HDSOP-10-1
Montare: SMD
Putere disipata: 174W
Curent drena: 29A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HDSOP-10-1 |
| Curent de drena in impuls | 83A |
| Curent drena | 29A |
| Incarcatura poarta | 42nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 80mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |