Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HDSOP-10-1, INFINEON TECHNOLOGIES - IPDD60R050G7XTMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122885
-
69,96lei
- Fără TVA:58,79lei
-
- 3 sau mai multe 43,76lei
- 5 sau mai multe 41,44lei
- 1700 sau mai multe 39,51lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-HDSOP-10-1, INFINEON TECHNOLOGIES - IPDD60R050G7XTMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-HDSOP-10-1
Montare: SMD
Putere disipata: 278W
Curent drena: 47A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HDSOP-10-1 |
| Curent de drena in impuls | 135A |
| Curent drena | 47A |
| Incarcatura poarta | 68nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 50mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |