Tranzistor N-MOSFET, capsula H2PAK-2, STMicroelectronics - STH12N120K5-2

Distribuie
  • 57,72lei

  • Fără TVA:47,70lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula H2PAK-2, STMicroelectronics - STH12N120K5-2

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 1200V

Capsula: H2PAK-2

Montare: SMD

Putere disipata: 250W

Curent drena: 7.6A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa H2PAK-2
Curent de drena in impuls 48A
Curent drena 7.6A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 690mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 1200V
Tensiune poarta-sursa ±30V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha