Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, STMicroelectronics - STD4NK100Z

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 1000V

Capsula: DPAK

Montare: SMD

Putere disipata: 90W

Curent drena: 1A

Caracteristici

Caracteristici elemente semiconductoare	ESD protected gate
Carcasa	DPAK
Curent de drena in impuls	8.8A
Curent drena	1A
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	6800mΩ
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	1000V
Tensiune poarta-sursa	±30V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare