Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, STMicroelectronics - STD1HN60K3

Distribuie
  • 6,16lei

  • Fără TVA:5,17lei

  • 5 sau mai multe 2,59lei
  • 25 sau mai multe 2,05lei
  • 50 sau mai multe 1,84lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, STMicroelectronics - STD1HN60K3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: DPAK

Montare: SMD

Putere disipata: 27W

Curent drena: 0.76A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa DPAK
Curent drena 0.76A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 8000mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 600V
Tensiune poarta-sursa ±30V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha