Stimati clienti, va informam ca in perioada 9-24 iunie suntem in concediu. Comenzile plasate in aceasta perioada, vor fi procesate si expediate incepand cu data de 25 iunie. Va multumim pentru intelegere!

Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, STMicroelectronics - STD13N60DM2

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, STMicroelectronics - STD13N60DM2

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: DPAK

Montare: SMD

Putere disipata: 110W

Curent drena: 7A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa DPAK
Curent de drena in impuls 44A
Curent drena 7A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 365mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 600V
Tensiune poarta-sursa ±25V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha