Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, STMicroelectronics - STD100N10F7

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: DPAK

Montare: SMD

Putere disipata: 120W

Curent drena: 62A

Caracteristici

Carcasa	DPAK
Curent de drena in impuls	320A
Curent drena	62A
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	8mΩ
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	100V
Tensiune poarta-sursa	±20V

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare