Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD95R1K2P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122881
-
6,50lei
- Fără TVA:5,37lei
-
- 5 sau mai multe 5,81lei
- 20 sau mai multe 4,67lei
- 47 sau mai multe 4,42lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD95R1K2P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 950V
Capsula: DPAK
Montare: SMD
Putere disipata: 52W
Curent drena: 3.7A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | DPAK |
| Curent drena | 3.7A |
| Incarcatura poarta | 15nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.2Ω |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 950V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |