Tranzistor N-MOSFET, capsula DPAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD50R500CEAUMA1

Distribuie

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 500V

Capsula: DPAK

Montare: SMD

Putere disipata: 57W

Curent drena: 4.8A

Caracteristici

Carcasa	DPAK
Curent de drena in impuls	24A
Curent drena	4.8A
Incarcatura poarta	18.7nC
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	0.5Ω
Subtip ambalaj	rolă
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	500V
Tensiune poarta-sursa	±20V

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare