Tranzistor N-MOSFET, capsula DFN5060-8, YANGJIE TECHNOLOGY - YJG53G06A

Distribuie
  • 1,90lei

  • Fără TVA:1,60lei

  • 25 sau mai multe 1,51lei
  • 79 sau mai multe 1,15lei
  • 182 sau mai multe 1,09lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula DFN5060-8, YANGJIE TECHNOLOGY - YJG53G06A

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: DFN5060-8

Montare: SMD

Putere disipata: 30W

Curent drena: 34A

Caracteristici
Carcasa DFN5060-8
Curent de drena in impuls 160A
Curent drena 34A
Incarcatura poarta 31nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 12mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha