Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, VISHAY - SIHB33N60E-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T124047
-
38,63lei
- Fără TVA:32,46lei
-
- 4 sau mai multe 27,49lei
- 8 sau mai multe 26,01lei
- 500 sau mai multe 24,80lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, VISHAY - SIHB33N60E-GE3
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: D2PAK
Montare: SMD
Putere disipata: 278W
Curent drena: 21A
Caracteristici
Carcasa | D2PAK |
Curent drena | 21A |
Incarcatura poarta | 150nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 99mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 600V |
Tensiune poarta-sursa | ±30V |
Tip produs | Datalogger |