Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R180P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122713
-
16,79lei
- Fără TVA:14,11lei
-
- 8 sau mai multe 12,03lei
- 18 sau mai multe 11,39lei
- 100 sau mai multe 10,74lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R180P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: D2PAK
Montare: SMD
Putere disipata: 72W
Curent drena: 11A
Caracteristici
Carcasa | D2PAK |
Curent drena | 11A |
Incarcatura poarta | 25nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.18Ω |
Subtip ambalaj | rolă |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 600V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |