Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R099P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122706
-
27,02lei
- Fără TVA:22,70lei
-
- 5 sau mai multe 18,33lei
- 12 sau mai multe 17,36lei
- 500 sau mai multe 17,22lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R099P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: D2PAK
Montare: SMD
Putere disipata: 117W
Curent drena: 20A
Caracteristici
| Carcasa | D2PAK |
| Curent drena | 20A |
| Incarcatura poarta | 45nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 99mΩ |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |