Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R099P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122706
-
21,24lei
- Fără TVA:17,56lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R099P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: D2PAK
Montare: SMD
Putere disipata: 117W
Curent drena: 20A
Caracteristici
Carcasa | D2PAK |
Curent drena | 20A |
Incarcatura poarta | 45nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 99mΩ |
Subtip ambalaj | rolă |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 600V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |