Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R060P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122698
-
38,76lei
- Fără TVA:32,04lei
-
- 2 sau mai multe 32,07lei
- 4 sau mai multe 28,72lei
- 8 sau mai multe 27,17lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (998 buc.)
Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R060P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: D2PAK
Montare: SMD
Putere disipata: 164W
Curent drena: 30A
Caracteristici
| Carcasa | D2PAK |
| Curent drena | 30A |
| Incarcatura poarta | 67nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 60mΩ |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |