Tranzistor N-MOSFET, capsula CanPAK™ MN, MG-WDSON-2, INFINEON TECHNOLOGIES - BSB056N10NN3GXUMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121810
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula CanPAK™ MN, MG-WDSON-2, INFINEON TECHNOLOGIES - BSB056N10NN3GXUMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: CanPAK™ MN, MG-WDSON-2
Montare: SMD
Putere disipata: 78W
Curent drena: 52A
Caracteristici
| Carcasa | CanPAK™ MN, MG-WDSON-2 |
| Curent drena | 52A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 5.6mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |