Tranzistor N-MOSFET, capsula CanPAK™ M, MG-WDSON-2, INFINEON TECHNOLOGIES - BSB104N08NP3GXUSA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121813
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula CanPAK™ M, MG-WDSON-2, INFINEON TECHNOLOGIES - BSB104N08NP3GXUSA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 80V
Capsula: CanPAK™ M, MG-WDSON-2
Montare: SMD
Putere disipata: 48W
Curent drena: 32A
Caracteristici
| Carcasa | CanPAK™ M, MG-WDSON-2 |
| Curent drena | 32A |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 10.4mΩ |
| Tensiune drena-sursa | 80V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |