Tranzistor N-MOSFET, capsula CanPAK™ M, MG-WDSON-2, INFINEON TECHNOLOGIES - BSB012NE2LXIXUMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121800
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula CanPAK™ M, MG-WDSON-2, INFINEON TECHNOLOGIES - BSB012NE2LXIXUMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 25V
Capsula: CanPAK™ M, MG-WDSON-2
Montare: SMD
Putere disipata: 57W
Curent drena: 170A
Caracteristici
Carcasa | CanPAK™ M, MG-WDSON-2 |
Curent drena | 170A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.2mΩ |
Tensiune drena-sursa | 25V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |