Tranzistor N-MOSFET, PG-TO220-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IPP80R600P7XKSA1

Distribuie

Tip tranzistor: N-MOSFET, unipolar

Capsula: PG-TO220-3

Producator: INFINEON TECHNOLOGIES

Caracteristici

Caracteristici elemente semiconductoare	ESD protected gate
Carcasa	PG-TO220-3
Curent drena	5.5A
Incarcatura poarta	20nC
Nivel dificultate	Avansat
Polarizare	unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii	0.6Ω
Subtip ambalaj	tub
Subtip canal	îmbogăţit
Tensiune drena-sursa	800V
Tensiune poarta-sursa	±20V
Tip produs	Datalogger

Spune-ţi opinia

Numele tău:

Opinia ta:

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!

Nota: Rău Bun

Captcha

Introdul codul de verificare