Tranzistor N-JFET, capsula PG-HSOF-8-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IGT60R190D1SATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122617
-
50,60lei
- Fără TVA:41,82lei
-
- 3 sau mai multe 45,14lei
- 5 sau mai multe 42,71lei
- 10 sau mai multe 42,28lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-JFET, capsula PG-HSOF-8-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IGT60R190D1SATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-JFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-HSOF-8-3
Montare: SMD
Putere disipata: 55.5W
Curent drena: 12.5A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HSOF-8-3 |
| Curent de drena in impuls | 23A |
| Curent de poarta | 7.7mA |
| Curent drena | 12.5A |
| Incarcatura poarta | 3.2nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 190mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | -10V |