Tranzistor N-JFET, capsula PG-HSOF-8-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IGT60R070D1ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122616
-
132,63lei
- Fără TVA:109,61lei
-
- 2 sau mai multe 125,53lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-JFET, capsula PG-HSOF-8-3, INFINEON TECHNOLOGIES - IGT60R070D1ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-JFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: PG-HSOF-8-3
Montare: SMD
Putere disipata: 125W
Curent drena: 31A
Caracteristici
| Carcasa | PG-HSOF-8-3 |
| Curent de drena in impuls | 60A |
| Curent de poarta | 20mA |
| Curent drena | 31A |
| Incarcatura poarta | 5.8nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 70mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | -10V |