Tranzistor N-JFET/N-MOSFET, capsula D2PAK, UnitedSiC - UJ3C065080B3

Distribuie
  • 101,43lei

  • Fără TVA:85,23lei

  • 2 sau mai multe 87,49lei
  • 3 sau mai multe 82,81lei
  • 30 sau mai multe 78,29lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1 buc.)

Tranzistor N-JFET/N-MOSFET, capsula D2PAK, UnitedSiC - UJ3C065080B3

Tip tranzistor: unipolar, N-JFET/N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: D2PAK

Montare: SMD

Putere disipata: 115W

Curent drena: 18.2A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa D2PAK
Curent drena 18.2A
Incarcatura poarta 51nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 80mΩ
Subtip tranzistor în cascadă
Tensiune drena-sursa 650V
Tensiune poarta-sursa ±25V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha