Tranzistor N-MOSFET x2, capsula SOT363, DIODES INCORPORATED - DMN3190LDW-7

Distribuie
  • 2,83lei

  • Fără TVA:2,38lei

  • 10 sau mai multe 1,26lei
  • 50 sau mai multe 0,89lei
  • 100 sau mai multe 0,78lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (619 buc.)

Tranzistor N-MOSFET x2, capsula SOT363, DIODES INCORPORATED - DMN3190LDW-7

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET x2

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SOT363

Montare: SMD

Putere disipata: 0.32W

Curent drena: 0.9A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SOT363
Curent de drena in impuls 9.6A
Curent drena 0.9A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.19Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha