Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R1K0PFD7SAUMA1

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R1K0PFD7SAUMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 650V

Capsula: TO252

Montare: SMD

Putere disipata: 26W

Curent drena: 3A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Curent de drena in impuls 8.8A
Curent drena 3A
Nivel dificultate Avansat
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.978Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 650V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha