Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T124564
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, INFINEON TECHNOLOGIES - IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 650V
Capsula: TO252
Montare: SMD
Putere disipata: 26W
Curent drena: 3A
Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
Curent de drena in impuls | 8.8A |
Curent drena | 3A |
Nivel dificultate | Avansat |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.978Ω |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 650V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Tip produs | Datalogger |