Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, DIODES INCORPORATED - ZXMN2F30FHQTA

Distribuie
  • 1,78lei

  • Fără TVA:1,50lei

  • 25 sau mai multe 1,11lei
  • 100 sau mai multe 0,98lei
  • 102 sau mai multe 0,90lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, DIODES INCORPORATED - ZXMN2F30FHQTA

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 0.96W

Curent drena: 4.1A

Caracteristici
Carcasa SOT23
Curent drena 4.1A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.065Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tensiune poarta-sursa ±12V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha